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DRAM – – V7128008GBD
V7 - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBD
DRAM – – V7128008GBD V7 - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBD
库存 数量 预计配送 价格
DE168   1109 一 8/26 22.92
IMES1   113 五 8/23 30.36
DE712   1109 五 8/30 39.59
DRAM – – V7128008GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
DRAM – – V7128008GBS-LV V7 - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128008GBS-LV
库存 数量 预计配送 价格
DE168   933 一 8/26 22.75
IMES1   147 五 8/23 30.17
DE712   933 五 8/30 32.66
DRAM – – CT16G56C46S5
Crucial - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - non-ECC
代码：
CT16G56C46S5
DRAM – – CT16G56C46S5 Crucial - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - non-ECC
代码：
CT16G56C46S5
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TDPT1   560 三 8/21 53.05
KOSDEQ   100 四 8/22 54.65
DE712   100 五 8/30 67.55
DRAM – – S26361-F3909-L716
Fujitsu - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - ECC - for PRIMERGY RX1330 M4, TX1320 M4, TX1330 M4
代码：
S26361-F3909-L716
DRAM – – S26361-F3909-L716 Fujitsu - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - ECC - for PRIMERGY RX1330 M4, TX1320 M4, TX1330 M4
代码：
S26361-F3909-L716
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DE712   463 五 8/30 283.75
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS008G-B3200GSST
DRAM – – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS008G-B3200GSST
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DE712   426 五 8/30 56.22
DRAM – – V764002GBD
V7 - DDR2 - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBD
DRAM – – V764002GBD V7 - DDR2 - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBD
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DE168   355 一 8/26 21.27
IMES1   54 五 8/23 28.65
DE712   355 五 8/30 30.89
DRAM – – V7106008GBD
V7 - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106008GBD
DRAM – – V7106008GBD V7 - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106008GBD
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DE168   329 一 8/26 22.98
IMES1   70 五 8/23 30.41
DE712   329 五 8/30 40.26
DRAM – – M471A1K43EB1-CWE
Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A1K43EB1-CWE
DRAM – – M471A1K43EB1-CWE Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A1K43EB1-CWE
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KOSDEQ   300 四 8/22 38.34
DE712   300 五 8/30 52.43
DRAM – – M321R8GA0BB0-CQK
Samsung - DDR5 - module - 64 GB - DIMM 288-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - registered - ECC
代码：
M321R8GA0BB0-CQK
DRAM – – M321R8GA0BB0-CQK Samsung - DDR5 - module - 64 GB - DIMM 288-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - registered - ECC
代码：
M321R8GA0BB0-CQK
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KOSDEQ   300 四 8/22 288.92
DE712   300 五 8/30 342.08
DRAM – – V7128004GBD
V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBD
DRAM – – V7128004GBD V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBD
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DE168   293 一 8/26 20.99
IMES1   72 五 8/23 28.34
DE712   293 五 8/30 30.09
DRAM – – CT8G4SFS824A
Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFS824A
DRAM – – CT8G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFS824A
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TDPT1   275 三 8/21 20.40
INFES   35 三 8/21 22.16
KOSDEQ   100 四 8/22 34.48
CZ017   8 五 8/30 36.41
IMES1   146 五 8/23 36.58
DE712   275 五 8/30 37.50
DRAM – – V7106004GBD
V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBD
DRAM – – V7106004GBD V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBD
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DE168   255 一 8/26 20.76
IMES1   67 五 8/23 28.10
DE712   255 五 8/30 30.13
DRAM – – F5-6000J3040G32GX2-TZ5NR
G.Skill Trident Z5 Neo RGB - DDR5 - kit - 64 GB: 2 x 32 GB - DIMM 288-pin - 6000 MHz / PC5-48000 - CL30 - 1.4 V - unbuffered - non-ECC - matte black
代码：
F5-6000J3040G32GX2-TZ5NR
DRAM – – F5-6000J3040G32GX2-TZ5NR G.Skill Trident Z5 Neo RGB - DDR5 - kit - 64 GB: 2 x 32 GB - DIMM 288-pin - 6000 MHz / PC5-48000 - CL30 - 1.4 V - unbuffered - non-ECC - matte black
代码：
F5-6000J3040G32GX2-TZ5NR
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DE712   235 五 8/30 251.31
DRAM – – CT16G52C42U5
Crucial - DDR5 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 5200 MHz / PC5-41600 - CL42 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT16G52C42U5
DRAM – – CT16G52C42U5 Crucial - DDR5 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 5200 MHz / PC5-41600 - CL42 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT16G52C42U5
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IMES1   208 五 8/23 66.53
DE712   20 五 8/30 86.02
DRAM – – V72560016GBD
V7 - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V72560016GBD
DRAM – – V72560016GBD V7 - DDR4 - module - 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V72560016GBD
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DE168   207 一 8/26 41.18
IMES1   22 五 8/23 47.81
DE712   207 五 8/30 59.54
DRAM – – TED38G1600C1101
Team Elite - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED38G1600C1101
DRAM – – TED38G1600C1101 Team Elite - DDR3 - module - 8 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED38G1600C1101
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DE712   200 五 8/30 48.80
DRAM – – CT8G56C46S5
Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC
代码：
CT8G56C46S5
DRAM – – CT8G56C46S5 Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC
代码：
CT8G56C46S5
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TDPT1   190 三 8/21 42.59
IMES1   3 五 8/23 44.36
DE712   190 五 8/30 52.01
DRAM – – F4-3200C14D-32GVK
G.Skill Ripjaws V - DDR4 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL14 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC - classic black
代码：
F4-3200C14D-32GVK
DRAM – – F4-3200C14D-32GVK G.Skill Ripjaws V - DDR4 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL14 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC - classic black
代码：
F4-3200C14D-32GVK
库存 数量 预计配送 价格
DE712   186 五 8/30 184.35
DRAM – – 815100-B21
HPE SmartMemory - DDR4 - module - 32 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registered - ECC
代码：
815100-B21
DRAM – – 815100-B21 HPE SmartMemory - DDR4 - module - 32 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - registered - ECC
代码：
815100-B21
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DK773   169 五 8/23 209.70
MKDE   32 五 8/23 233.01
DE712   169 五 8/30 261.18
DRAM – – 850881-001
HPE - DDR4 - module - 32 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - registered - ECC
代码：
850881-001
DRAM – – 850881-001 HPE - DDR4 - module - 32 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - registered - ECC
代码：
850881-001
库存 数量 预计配送 价格
DK773   169 五 8/23 213.68
MKDE   32 五 8/23 233.01
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