Kingston ValueRAM - DDR4 - modulo - 8 GB - SO DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - senza buffer - non ECC - per Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5

Categoria DDR4
Codice prodotto KVR32S22S6/8
Marca Kingston
Garanzia 0 Mese - Vita
Garanzia fabbricante
 
Sconosciuto
ELKRO
 
Sconosciuto
NODRO
 
Sconosciuto
OMRO
 
Sconosciuto
IMRO2
 
Sconosciuto
DE168
 
Sconosciuto
CZ015
 
Vita
APIDE
 
Sconosciuto
PL111
 
Sconosciuto
PL569
 
60 Mesi
HU021
 
Vita
CZ017
 
Vita
CZ016
 
120 Mesi
ALSRO
 
Sconosciuto
IMRO1
 
Sconosciuto
DK773
 
12 Mesi
Immagini solo con fini illustrativi
Magazzino quantità Consegna stimata Prezzo
IVA
ELKRO 4 12/02/2025 Sconosciuto 75,23
NODRO 2 13/02/2025 Sconosciuto 92,18
OMRO 4 12/02/2025 Sconosciuto 92,83
IMRO2 136 20/02/2025 Sconosciuto 117,02
DE168 126 17/02/2025 Sconosciuto 145,70
CZ015 101 13/02/2025 Sconosciuto 151,98
APIDE 40 17/02/2025 Sconosciuto 181,98
PL111 30+ 14/02/2025 Sconosciuto 182,78
PL569 6 14/02/2025 Sconosciuto 183,58
HU021 6 13/02/2025 Sconosciuto 217,03
CZ017 99 18/02/2025 Sconosciuto 254,29
CZ016 44 18/02/2025 Sconosciuto 254,63
ALSRO 0 Sconosciuto 79,66
IMRO1 0 Sconosciuto 117,02
DK773  662  25/02/2025 Sconosciuto 144,32
Descrizione Prodotto
Kingston ValueRAM - DDR4 - modulo - 8 GB - SO DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - senza buffer
Tipo prodotto
Modulo di memoria
Capacità
8 GB
Tipo memoria
DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-pin
Tipo aggiornamento
Generico
Data Integrity Check (verifica integrità dati)
Non ECC
Velocità
3200 MHz (PC4-25600)
Tempo di latenza
CL22 (22-22-22)
Caratteristiche
Single rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), 16 banchi, Low-power auto self refresh (LPASR), supporto modalità DBI, senza buffer
Tensione
1.2 V
Rivestimento terminali
Oro
Garanzia del produttore
Garanzia a vita (Russia - 10 anni)
Progettato per
Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
Capacità
8 GB
Tipo aggiornamento
Generico
Larghezza
69.9 mm
Profondità
2.45 mm
Altezza
30 mm
Tipo
DRAM modulo di memoria
Tecnologia
DDR4 SDRAM
Fattore di forma
SO DIMM 260-pin
Altezza modulo (pollici)
1.18
Velocità
3200 MHz (PC4-25600)
Tempo di latenza
CL22 (22-22-22)
Data Integrity Check (verifica integrità dati)
Non ECC
Caratteristiche
Single rank, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), 16 banchi, Low-power auto self refresh (LPASR), supporto modalità DBI, senza buffer
Configurazione modulo
1024 x 64
Organizzazione Chip
1024 x 16
Tensione
1.2 V
Rivestimento terminali
Oro
Standard di conformità
RoHS, non alogeno, JEDEC
Servizi e supporto
Garanzia a vita (Russia - 10 anni)
Progettato per
Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5