笔记本内存

笔记本内存 –  – M471A5244CB0-CTD Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
M471A5244CB0-CTD
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ASBSI   63 二 10/8 11.69
笔记本内存 –  – TED44G2666C19-S01 Team Elite - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
TED44G2666C19-S01
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EXSI   22 二 10/8 17.32
笔记本内存 –  – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
LD4AS008G-B3200GSST
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EVSSI   152 二 10/8 19.91
PL111   30+ 四 10/10 33.46
笔记本内存 –  – TED48G2666C19-S01 Team Elite - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
TED48G2666C19-S01
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EXSI   8 二 10/8 21.74
笔记本内存 –  – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码:
KVR32S22S6/8
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AVTSI   1 二 10/8 22.00
EXSI   7 二 10/8 26.56
ALSDE-2   35 五 10/11 36.05
DE168   4 四 10/10 37.08
PL111   30+ 四 10/10 39.24
CZ016   2 四 10/10 39.52
JARDE2   246 四 10/10 54.16
笔记本内存 –  – KF432S20IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码:
KF432S20IB/8
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AVTSI   2 二 10/8 22.47
DE168   47 四 10/10 37.53
PL111   19 四 10/10 39.70
CZ016   20 四 10/10 39.97
笔记本内存 –  – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR26S19S6/4
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PCPSI   4 二 10/8 22.77
EXSI   16 二 10/8 25.02
ALSDE-2   8 五 10/11 34.71
DE168   14 四 10/10 35.17
CZ016   45 四 10/10 37.97
CZ017   100 四 10/10 41.55
SIKDE   39 五 10/11 43.79
笔记本内存 –  – CT8G4DFRA32AT Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered
代码:
CT8G4DFRA32AT
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ASBSI   3 二 10/8 22.91
笔记本内存 –  – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT4G4SFS824A
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EVSSI   15 二 10/8 23.12
EXSI   6 二 10/8 24.79
JARDE2   121 四 10/10 37.77
KOSDES   40 四 10/10 46.70
笔记本内存 –  – MEM5102A 2-Power - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - unbuffered - non-ECC
代码:
MEM5102A
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CZ148   3 四 10/10 23.55
笔记本内存 –  – V753001GBS V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码:
V753001GBS
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DE168   3 四 10/10 25.06
笔记本内存 –  – KVR26S19S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR26S19S8/8
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PCPSI   27 二 10/8 25.17
EXSI   8 二 10/8 28.10
ALSDE-2   32 五 10/11 36.05
CZ016   21 四 10/10 38.16
CZ148   9 四 10/10 38.50
CZ017   10 四 10/10 43.04
SIKDE   53 五 10/11 45.76
KOSDES   2 四 10/10 47.19
笔记本内存 –  – KVR32S22S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码:
KVR32S22S8/8
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PCPSI   5 二 10/8 25.33
ALSDE-2   51 五 10/11 36.05
CZ148   35 四 10/10 38.37
PL111   30+ 四 10/10 39.24
CZ016   7 四 10/10 40.03
DK773   8 四 10/10 41.93
CZ017   100 四 10/10 43.43
SIKDE   17 五 10/11 45.85
KOSDES   70 四 10/10 47.19
笔记本内存 –  – CT8G4SFRA32A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT8G4SFRA32A
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ASBSI   101 二 10/8 25.42
CZ016   17 四 10/10 39.83
CZ017   10 四 10/10 44.92
KOSDES   500 四 10/10 46.54
SIKDE   500 五 10/11 47.21
PL591   5 四 10/10 47.52
DK565   1 四 10/10 53.29
笔记本内存 –  – TED48G3200C22-S01 Team Elite - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
TED48G3200C22-S01
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EXSI   17 二 10/8 26.33
SIKDE   92 五 10/11 40.42
笔记本内存 –  – V7128004GBS-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7128004GBS-LV
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DE168   34 四 10/10 26.79
笔记本内存 –  – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码:
V7106004GBS
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DE168   3 四 10/10 26.89
笔记本内存 –  – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7128004GBS-DR-LV
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DE168   145 四 10/10 27.14
笔记本内存 –  – V785004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码:
V785004GBS
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DE168   47 四 10/10 27.29
笔记本内存 –  – V753002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码:
V753002GBS
库存 数量 预计配送 价格
DE168   44 四 10/10 27.56