DRAM

DRAM –  – M471A5244CB0-CTD Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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M471A5244CB0-CTD
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ASBSI   70 二 7/23 11.69
DRAM –  – TED44G2666C19-S01 Team Elite - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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TED44G2666C19-S01
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EXSI   28 二 7/23 17.32
DRAM –  – TED3L4G1600C1101 Team Elite - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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TED3L4G1600C1101
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EXSI   23 二 7/23 18.08
DRAM –  – TED34G1600C1101 Team Elite - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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TED34G1600C1101
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EXSI   52 二 7/23 18.08
DRAM –  – TED44G2666C1901 Team Elite - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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TED44G2666C1901
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EXSI   22 二 7/23 18.08
DRAM –  – AU04GFA60CATBGC Apacer - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
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AU04GFA60CATBGC
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TTTSI   16 二 7/23 20.09
DRAM –  – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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LD4AS008G-B3200GSST
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EVSSI   309 二 7/23 22.16
ASBSI   186 二 7/23 24.41
DRAM –  – F4-3200C16S-8GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
F4-3200C16S-8GIS
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EVSSI   72 二 7/23 22.63
PCPSI   3 二 7/23 22.77
DRAM –  – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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CT4G4SFS824A
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EVSSI   17 二 7/23 23.12
EXSI   10 二 7/23 23.28
DRAM –  – KVR32N22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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KVR32N22S6/8
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AVTSI   2 二 7/23 23.28
ASBSI   13 二 7/23 25.83
PCPSI   5 二 7/23 26.29
DRAM –  – KVR26S19S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR26S19S6/8
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AVTSI   2 二 7/23 23.92
DRAM –  – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码:
KVR32S22S6/8
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AVTSI   8 二 7/23 23.92
EXSI   22 二 7/23 34.27
DRAM –  – F4-2666C19S-8GIS G.Skill AEGIS - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
F4-2666C19S-8GIS
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PCPSI   10 二 7/23 24.36
DRAM –  – KF426S15IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码:
KF426S15IB/8
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AVTSI   1 二 7/23 24.40
DRAM –  – KF432S20IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码:
KF432S20IB/8
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AVTSI   2 二 7/23 24.40
DRAM –  – LD4AU008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
LD4AU008G-B3200GSST
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ASBSI   3 二 7/23 24.57
DRAM –  – KF426C16BB/8 Kingston FURY Beast - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码:
KF426C16BB/8
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AVTSI   1 二 7/23 24.88
DRAM –  – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR26S19S6/4
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PCPSI   11 二 7/23 25.17
EXSI   16 二 7/23 26.56
DRAM –  – CT4G4DFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT4G4DFS824A
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EVSSI   24 二 7/23 25.36
DRAM –  – TED48G2666C1901 Team Elite - DDR4 - module - 8 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
TED48G2666C1901
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PCPSI   36 二 7/23 25.97
EXSI   16 二 7/23 26.33