筆記本記憶體

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筆記本記憶體 –  – M471A5244CB0-CTD Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
M471A5244CB0-CTD
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ASBSI   64 五 13/9 11.69
筆記本記憶體 –  – TED44G2666C19-S01 Team Elite - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
TED44G2666C19-S01
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EXSI   23 五 13/9 17.32
筆記本記憶體 –  – TED48G2666C19-S01 Team Elite - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
TED48G2666C19-S01
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EXSI   17 五 13/9 21.74
筆記本記憶體 –  – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代碼:
KVR32S22S6/8
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AVTSI   6 五 13/9 22.00
EXSI   10 五 13/9 26.56
ALSDE-2   35 三 18/9 35.98
DE168   81 二 17/9 36.95
PL111   26 二 17/9 39.37
CZ016   5 二 17/9 39.66
APIDE   138 四 19/9 43.40
CZ017   9 二 17/9 43.62
HU028   20 四 19/9 46.60
DE712   81 五 20/9 49.06
JARDE2   353 二 17/9 54.16
筆記本記憶體 –  – LD4AS008G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
LD4AS008G-B3200GSST
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EVSSI   168 五 13/9 22.16
PL111   30+ 二 17/9 33.60
APIDE   52 四 19/9 45.71
DE712   424 五 20/9 72.99
筆記本記憶體 –  – KF432S20IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代碼:
KF432S20IB/8
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AVTSI   4 五 13/9 22.47
DE168   47 二 17/9 37.41
CZ148   15 二 17/9 39.09
CZ016   14 二 17/9 40.11
CZ017   50 二 17/9 41.92
APIDE   20 四 19/9 44.63
HU028   9 四 19/9 46.73
DE712   50 五 20/9 50.02
筆記本記憶體 –  – CT4G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
CT4G4SFS824A
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EVSSI   16 五 13/9 23.12
EXSI   7 五 13/9 24.79
JARDE2   121 二 17/9 37.77
APIDE   47 四 19/9 39.86
DCSSID   50 四 19/9 42.25
KOSDES   47 二 17/9 46.70
筆記本記憶體 –  – CT8G4DFRA32AT Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered
代碼:
CT8G4DFRA32AT
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ASBSI   7 五 13/9 24.30
筆記本記憶體 –  – KVR26S19S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
KVR26S19S6/4
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PCPSI   6 五 13/9 24.36
EXSI   16 五 13/9 25.02
ALSDE-2   4 三 18/9 34.64
DE168   54 二 17/9 35.04
CZ017   100 二 17/9 41.72
APIDE   23 四 19/9 42.90
HU028   2 四 19/9 44.54
KOSDES   59 二 17/9 45.73
DE712   54 五 20/9 47.28
筆記本記憶體 –  – V753001GBS V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代碼:
V753001GBS
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DE168   3 二 17/9 25.01
DE712   3 五 20/9 49.41
筆記本記憶體 –  – KVR32S22S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代碼:
KVR32S22S8/8
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PCPSI   4 五 13/9 25.97
ALSDE-2   22 三 18/9 35.98
DE168   210 二 17/9 36.95
CZ148   30 二 17/9 38.64
PL111   30+ 二 17/9 39.37
CZ016   26 二 17/9 40.19
DK773   8 二 17/9 42.74
APIDE   129 四 19/9 43.30
HU028   30 四 19/9 46.60
DCSSID   28 四 19/9 48.93
DE712   14 五 20/9 49.23
筆記本記憶體 –  – TED48G3200C22-S01 Team Elite - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
TED48G3200C22-S01
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EXSI   18 五 13/9 26.33
DE712   100 五 20/9 53.45
筆記本記憶體 –  – V7128004GBS-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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V7128004GBS-LV
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DE168   101 二 17/9 26.74
DE712   101 五 20/9 47.15
筆記本記憶體 –  – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
V7128004GBS-DR-LV
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DE168   145 二 17/9 27.08
DE712   145 五 20/9 39.50
筆記本記憶體 –  – V785004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代碼:
V785004GBS
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DE168   68 二 17/9 27.23
DE712   68 五 20/9 39.67
筆記本記憶體 –  – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代碼:
V7106004GBS
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DE168   21 二 17/9 27.30
DE712   21 五 20/9 39.39
筆記本記憶體 –  – V753002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代碼:
V753002GBS
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DE168   65 二 17/9 27.49
DE712   68 五 20/9 48.54
筆記本記憶體 –  – V742002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
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V742002GBS
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DE168   5 二 17/9 27.54
DE712   5 五 20/9 53.05
筆記本記憶體 –  – V764002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代碼:
V764002GBS
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DE168   61 二 17/9 27.55
DE712   65 五 20/9 50.51
筆記本記憶體 –  – KVR26S19S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代碼:
KVR26S19S8/8
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PCPSI   10 五 13/9 27.58
EXSI   9 五 13/9 28.10
ALSDE-2   15 三 18/9 35.98
DE168   16 二 17/9 36.95
CZ016   100 二 17/9 38.55
CZ148   29 二 17/9 38.64
CZ017   10 二 17/9 43.29
APIDE   10 四 19/9 44.33
HU028   8 四 19/9 46.60
DCSSID   25 四 19/9 47.63
KOSDES   7 二 17/9 47.82
DE712   18 五 20/9 49.48