DRAM

Parametry produktu

W magazynie (15834)
Wszystkie (20869)
Dostarczone na
Dostarczone na wtorek 10.09 (719)środa 11.09 (1288)czwartek 12.09 (1721)piątek 13.09 (3014)poniedziałek 16.09 (3023)
Marka
Kingston (693)Crucial (141)Patriot Memory (184)G.Skill (286)Lexar (26)Lenovo (141)Wilk Elektronik (54)Samsung (72)Dell (114)HP Inc. (123)Hewlett Packard Enterprise (153)
Pojemność pamięci
 - 
Cena
 - 
  EUR
Zastosuj
Szukaj
Wyczyść
DRAM – – TED48G3200C22-S01
Team Elite - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
TED48G3200C22-S01
DRAM – – TED48G3200C22-S01 Team Elite - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
TED48G3200C22-S01
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE712   100 wto 17.09 47,08
DRAM – – TED48G3200C2201
Team Elite - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
TED48G3200C2201
DRAM – – TED48G3200C2201 Team Elite - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
TED48G3200C2201
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE712   100 wto 17.09 46,78
DRAM – – TED432G3200C22-S01
Team Elite - DDR4 - moduł - 32 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
TED432G3200C22-S01
DRAM – – TED432G3200C22-S01 Team Elite - DDR4 - moduł - 32 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
TED432G3200C22-S01
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE712   100 wto 17.09 102,98
DRAM – – TLZGD416G3600HC18J01
T-Force Vulcan Z - DDR4 - moduł - 16 GB - DIMM 288-pin - 3600 MHz / PC4-28800 - CL18 - 1.35 V - niebuforowana - bez ECC - szary
Kod
TLZGD416G3600HC18J01
DRAM – – TLZGD416G3600HC18J01 T-Force Vulcan Z - DDR4 - moduł - 16 GB - DIMM 288-pin - 3600 MHz / PC4-28800 - CL18 - 1.35 V - niebuforowana - bez ECC - szary
Kod
TLZGD416G3600HC18J01
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE712   100 wto 17.09 278,08
DRAM – – TED416G3200C2201
Team Elite - DDR4 - moduł - 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
TED416G3200C2201
DRAM – – TED416G3200C2201 Team Elite - DDR4 - moduł - 16 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
TED416G3200C2201
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE712   100 wto 17.09 69,28
DRAM – – M471A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC - dla Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
Kod
M471A5244CB0-CWE
DRAM – – M471A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC - dla Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
Kod
M471A5244CB0-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 śro 11.09 44,82
DE712   100 wto 17.09 65,11
DRAM – – M378A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M378A5244CB0-CWE
DRAM – – M378A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 4 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M378A5244CB0-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 śro 11.09 44,82
DE712   100 wto 17.09 65,23
DRAM – – M378A1K43EB2-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M378A1K43EB2-CWE
DRAM – – M378A1K43EB2-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M378A1K43EB2-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 śro 11.09 55,73
DK773   8 pią 13.09 58,73
DE712   100 wto 17.09 65,75
DRAM – – M393A8G40BB4-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 64 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - rejestrowana - ECC
Kod
M393A8G40BB4-CWE
DRAM – – M393A8G40BB4-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 64 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - rejestrowana - ECC
Kod
M393A8G40BB4-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 śro 11.09 263,69
DE712   12 wto 17.09 288,56
DRAM – – M391A1K43DB2-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - ECC
Kod
M391A1K43DB2-CWE
DRAM – – M391A1K43DB2-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - niebuforowana - ECC
Kod
M391A1K43DB2-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 śro 11.09 75,50
DE712   4 wto 17.09 84,66
DRAM – – M393A4K40EB3-CWE
Samsung - DDR4 - moduł - 32 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - rejestrowana - ECC
Kod
M393A4K40EB3-CWE
DRAM – – M393A4K40EB3-CWE Samsung - DDR4 - moduł - 32 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - rejestrowana - ECC
Kod
M393A4K40EB3-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 śro 11.09 135,50
DE712   39 wto 17.09 136,58
DRAM – – TLZRD48G3200HC16F01
T-Force Vulcan Z - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - niebuforowana - bez ECC - czerwony
Kod
TLZRD48G3200HC16F01
DRAM – – TLZRD48G3200HC16F01 T-Force Vulcan Z - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - niebuforowana - bez ECC - czerwony
Kod
TLZRD48G3200HC16F01
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE712   100 wto 17.09 57,26
DRAM – – TLZGD48G3200HC16F01
T-Force Vulcan Z - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - niebuforowana - bez ECC - szary
Kod
TLZGD48G3200HC16F01
DRAM – – TLZGD48G3200HC16F01 T-Force Vulcan Z - DDR4 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL16 - 1.35 V - niebuforowana - bez ECC - szary
Kod
TLZGD48G3200HC16F01
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE712   100 wto 17.09 58,28
DRAM – – M323R1GB4BB0-CQK
Samsung - DDR5 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - 1.1 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M323R1GB4BB0-CQK
DRAM – – M323R1GB4BB0-CQK Samsung - DDR5 - moduł - 8 GB - DIMM 288-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - 1.1 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M323R1GB4BB0-CQK
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 śro 11.09 67,32
DK773   1 pią 13.09 78,50
DRAM – – M471A2K43EB1-CWED0
Samsung - DDR4 - moduł - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M471A2K43EB1-CWED0
DRAM – – M471A2K43EB1-CWED0 Samsung - DDR4 - moduł - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - niebuforowana - bez ECC
Kod
M471A2K43EB1-CWED0
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 śro 11.09 81,64
DE712   100 wto 17.09 88,68
DRAM – – M321R2GA3BB6-CQK
Samsung - DDR5 - moduł - 16 GB - DIMM 288-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - rejestrowana
Kod
M321R2GA3BB6-CQK
DRAM – – M321R2GA3BB6-CQK Samsung - DDR5 - moduł - 16 GB - DIMM 288-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - rejestrowana
Kod
M321R2GA3BB6-CQK
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 śro 11.09 140,96
DE712   96 wto 17.09 148,79
DE712   87 wto 17.09 162,16
DRAM – – 4M9Y5AA
HP - DDR5 - moduł - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - niebuforowana - bez ECC - dla Elite 600 G9, 800 G9, Mini Conference G9; Workstation Z2 G9
Kod
4M9Y5AA
DRAM – – 4M9Y5AA HP - DDR5 - moduł - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - niebuforowana - bez ECC - dla Elite 600 G9, 800 G9, Mini Conference G9; Workstation Z2 G9
Kod
4M9Y5AA
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE712   100 wto 17.09 107,96
EDSSK   1 wto 10.09 108,78
DK773   34 pią 13.09 120,78
DK231   56 wto 17.09 202,31
DE168   1 czw 12.09 341,27
DRAM – – M425R4GA3BB0-CQK
Samsung - DDR5 - moduł - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V
Kod
M425R4GA3BB0-CQK
DRAM – – M425R4GA3BB0-CQK Samsung - DDR5 - moduł - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V
Kod
M425R4GA3BB0-CQK
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE712   100 wto 17.09 158,57
DRAM – – PVV532G600C36K
Patriot Viper Venom DDR5 series - DDR5 - zestaw - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-pin - 6000 MHz / PC5-48000 - CL36 - 1.25 V - niebuforowana - on-die ECC - srebrny, czarny mat
Kod
PVV532G600C36K
DRAM – – PVV532G600C36K Patriot Viper Venom DDR5 series - DDR5 - zestaw - 32 GB: 2 x 16 GB - DIMM 288-pin - 6000 MHz / PC5-48000 - CL36 - 1.25 V - niebuforowana - on-die ECC - srebrny, czarny mat
Kod
PVV532G600C36K
Towar Ilość Data dostawy Cena
ALSSK   100 śro 11.09 107,71
ATCSK   6 śro 11.09 118,40
100SK   2 czw 12.09 118,81
DRAM – – M378A2K43EB1-CWE
RAM DDR4 16GB / PC3200 / UB / 2Rx8 / Samsung
Kod
M378A2K43EB1-CWE
DRAM – – M378A2K43EB1-CWE RAM DDR4 16GB / PC3200 / UB / 2Rx8 / Samsung
Kod
M378A2K43EB1-CWE
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE501   100 śro 11.09 81,64
DE712   100 wto 17.09 88,68
DRAM – – MTC20C2085S1EC48BA1T
Micron - DDR5 - moduł - 32 GB - DIMM 288-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - niebuforowana - ECC
Kod
MTC20C2085S1EC48BA1T
DRAM – – MTC20C2085S1EC48BA1T Micron - DDR5 - moduł - 32 GB - DIMM 288-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - niebuforowana - ECC
Kod
MTC20C2085S1EC48BA1T
Towar Ilość Data dostawy Cena
DE712   100 wto 17.09 216,06
Prosimy o wyrażenie zgody na używanie przez nas plików cookie w celu poprawy komfortu przeglądania stron internetowych. Przeczytaj naszą Politykę Plików Cookie.
Akceptuję