笔记本内存

笔记本内存 –  – JM2666HSB-8G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
JM2666HSB-8G
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GB304   2 二 8/6 19.06
笔记本内存 –  – KVR26S19S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR26S19S6/8
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TDGB   13 二 8/6 19.08
EXGB   42 二 8/6 20.07
笔记本内存 –  – MMG2491/4GB CoreParts - DDR2 - kit - 4 GB: 2 x 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码:
MMG2491/4GB
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EETGB   6 二 8/6 19.08
笔记本内存 –  – KCP432SS6/8 Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KCP432SS6/8
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TDGB   2 二 8/6 19.53
IMUK   501 二 8/6 20.07
EXGB   134 二 8/6 23.07
笔记本内存 –  – KCP426SS6/8 Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KCP426SS6/8
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TDGB   20 二 8/6 19.53
IMUK   27 二 8/6 20.07
EXGB   7 二 8/6 22.75
笔记本内存 –  – KCP426SS8/8 Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KCP426SS8/8
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TDGB   63 二 8/6 19.86
IMUK   135 二 8/6 20.07
EXGB   26 二 8/6 22.75
笔记本内存 –  – KCP432SS8/8 Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KCP432SS8/8
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TDGB   23 二 8/6 19.86
IMUK   243 二 8/6 20.07
EXGB   106 二 8/6 23.07
笔记本内存 –  – CT8G4SFRA32A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT8G4SFRA32A
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TDGB   20 二 8/6 20.06
笔记本内存 –  – CT8G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT8G4SFS824A
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TDGB   105 二 8/6 20.06
笔记本内存 –  – HYS432102488GBOE Hyperam - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
HYS432102488GBOE
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EXGB   196 二 8/6 20.19
笔记本内存 –  – OM8G43200SO1RX8NE12 Origin Storage - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
OM8G43200SO1RX8NE12
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IMUK   8 二 8/6 20.20
笔记本内存 –  – TS3200HSB-8G Transcend Branded - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
TS3200HSB-8G
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GB304   104 二 8/6 21.40
笔记本内存 –  – V7213008GBS-SR V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7213008GBS-SR
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IMUK   14 二 8/6 21.44
笔记本内存 –  – CT8G4S266M Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
CT8G4S266M
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TDGB   1 二 8/6 21.48
笔记本内存 –  – V727001GBS V7 - DDR - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 333 MHz / PC2700 - unbuffered - non-ECC
代码:
V727001GBS
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IMUK   5 二 8/6 21.61
笔记本内存 –  – V732001GBS V7 - DDR - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 400 MHz / PC3200 - unbuffered - non-ECC
代码:
V732001GBS
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IMUK   2 二 8/6 21.67
笔记本内存 –  – KVR16LS11/4 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR16LS11/4
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TDGB   30 二 8/6 21.95
笔记本内存 –  – KVR16S11S8/4 Kingston ValueRAM - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR16S11S8/4
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TDGB   1 二 8/6 22.45
笔记本内存 –  – V7256008GBS V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码:
V7256008GBS
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IMUK   54 二 8/6 22.49
笔记本内存 –  – MMD2608/2GB CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 15 N5030, 15 N5050; Latitude E5420, E5520, E6420, E6430; XPS 14, 15, 17
代码:
MMD2608/2GB
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EETGB   1 二 8/6 23.63