笔记本内存

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Kingston (53)Crucial (18)Lenovo (45)Dell (18)Transcend (9)Synology (3)HP Inc. (5)G.Skill (1)Samsung (1)V7 (2)Corsair Microsystems (5)CoreParts (219)Fujitsu (1)Elo TouchSystems (1)
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笔记本内存 – – JM3200HSG-8G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSG-8G
笔记本内存 – – JM3200HSG-8G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSG-8G
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GB304   371 二 11/19 15.02
笔记本内存 – – TS3200HSB-8G
Transcend Branded - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TS3200HSB-8G
笔记本内存 – – TS3200HSB-8G Transcend Branded - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TS3200HSB-8G
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GB304   106 二 11/19 17.00
笔记本内存 – – KVR26S19S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/8
笔记本内存 – – KVR26S19S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/8
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EXGB   40 二 11/19 18.62
TDGB   21 二 11/19 19.16
笔记本内存 – – CT8G4SFRA32A
Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFRA32A
笔记本内存 – – CT8G4SFRA32A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFRA32A
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TDGB   541 二 11/19 18.62
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
笔记本内存 – – KVR32S22S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S8/8
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IMUK   208 二 11/19 18.66
EXGB   17 二 11/19 18.74
TDGB   53 二 11/19 19.16
EETGB   8 二 11/19 29.31
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
笔记本内存 – – KVR32S22S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S6/8
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IMUK   115 二 11/19 18.66
EXGB   9 二 11/19 18.74
TDGB   36 二 11/19 19.16
笔记本内存 – – KVR26S19S8/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S8/8
笔记本内存 – – KVR26S19S8/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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KVR26S19S8/8
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EXGB   5 二 11/19 18.66
笔记本内存 – – KF426S15IB/8
Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF426S15IB/8
笔记本内存 – – KF426S15IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF426S15IB/8
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EXGB   20 二 11/19 18.94
TDGB   6 二 11/19 19.61
笔记本内存 – – KF432S20IB/8
Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF432S20IB/8
笔记本内存 – – KF432S20IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF432S20IB/8
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EXGB   8 二 11/19 19.12
TDGB   6 二 11/19 19.61
笔记本内存 – – KCP432SS8/8
Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS8/8
笔记本内存 – – KCP432SS8/8 Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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KCP432SS8/8
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EXGB   29 二 11/19 19.45
TDGB   155 二 11/19 20.30
笔记本内存 – – KCP432SS6/8
Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/8
笔记本内存 – – KCP432SS6/8 Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS6/8
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EXGB   18 二 11/19 19.58
TDGB   164 二 11/19 19.95
EETGB   3 二 11/19 30.44
笔记本内存 – – HYS432102488GBOE
Hyperam - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
HYS432102488GBOE
笔记本内存 – – HYS432102488GBOE Hyperam - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
HYS432102488GBOE
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EXGB   424 二 11/19 20.19
笔记本内存 – – KCP426SS8/8
Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP426SS8/8
笔记本内存 – – KCP426SS8/8 Kingston - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP426SS8/8
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TDGB   71 二 11/19 20.30
EETGB   4 二 11/19 30.44
笔记本内存 – – V7256008GBS
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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V7256008GBS
笔记本内存 – – V7256008GBS V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7256008GBS
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IMUK   36 二 11/19 20.69
笔记本内存 – – MMLE037-4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for S400z; S500z; ThinkCentre M700 (Tiny); M700z; M800z; M900 (Tiny); M900x; M900z; X1; E74
代码：
MMLE037-4GB
笔记本内存 – – MMLE037-4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for S400z; S500z; ThinkCentre M700 (Tiny); M700z; M800z; M900 (Tiny); M900x; M900z; X1; E74
代码：
MMLE037-4GB
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EETGB   2 二 11/19 21.35
笔记本内存 – – MMKN057-8GB
CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN057-8GB
笔记本内存 – – MMKN057-8GB CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN057-8GB
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EETGB   49 二 11/19 21.35
笔记本内存 – – KVR16LS11/4
Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11/4
笔记本内存 – – KVR16LS11/4 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11/4
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TDGB   4 二 11/19 22.07
笔记本内存 – – MMI0029/4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMI0029/4GB
笔记本内存 – – MMI0029/4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMI0029/4GB
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EETGB   2 二 11/19 22.49
笔记本内存 – – CT8G48C40S5
Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G48C40S5
笔记本内存 – – CT8G48C40S5 Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G48C40S5
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TDGB   49 二 11/19 23.00
笔记本内存 – – MMD2608/2GB
CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 15 N5030, 15 N5050; Latitude E5420, E5520, E6420, E6430; XPS 14, 15, 17
代码：
MMD2608/2GB
笔记本内存 – – MMD2608/2GB CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 15 N5030, 15 N5050; Latitude E5420, E5520, E6420, E6430; XPS 14, 15, 17
代码：
MMD2608/2GB
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EETGB   1 二 11/19 23.63
笔记本内存 – – MMH9657/2048
CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for HP Pavilion Laptop dv3, dv3508, dv3539, dv3540, dv3560, dv3640, dv3650, dv3660, dv4
代码：
MMH9657/2048
笔记本内存 – – MMH9657/2048 CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for HP Pavilion Laptop dv3, dv3508, dv3539, dv3540, dv3560, dv3640, dv3650, dv3660, dv4
代码：
MMH9657/2048
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EETGB   1 二 11/19 23.63
笔记本内存 – – MMKN007-4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
笔记本内存 – – MMKN007-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
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EETGB   34 二 11/19 23.63
笔记本内存 – – JM3200HSE-16G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSE-16G
笔记本内存 – – JM3200HSE-16G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSE-16G
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GB304   1408 二 11/19 23.74
笔记本内存 – – CMSX8GX4M1A2400C16
CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX8GX4M1A2400C16
笔记本内存 – – CMSX8GX4M1A2400C16 CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX8GX4M1A2400C16
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EETGB   2 二 11/19 23.81
笔记本内存 – – MMG2494/4GB
CoreParts - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2494/4GB
笔记本内存 – – MMG2494/4GB CoreParts - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMG2494/4GB
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EETGB   34 二 11/19 24.76
笔记本内存 – – CMSA4GX3M1A1066C7
CORSAIR Mac Memory - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSA4GX3M1A1066C7
笔记本内存 – – CMSA4GX3M1A1066C7 CORSAIR Mac Memory - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - CL7 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSA4GX3M1A1066C7
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EETGB   12 二 11/19 24.76
笔记本内存 – – JM2666HSB-16G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM2666HSB-16G
笔记本内存 – – JM2666HSB-16G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM2666HSB-16G
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GB304   17 二 11/19 25.27
笔记本内存 – – MMKN026-2GB
CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN026-2GB
笔记本内存 – – MMKN026-2GB CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN026-2GB
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EETGB   3 二 11/19 25.90
笔记本内存 – – 03A02-00031900-MM
CoreParts - DDR3L - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
03A02-00031900-MM
笔记本内存 – – 03A02-00031900-MM CoreParts - DDR3L - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
03A02-00031900-MM
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EETGB   3 二 11/19 27.04
笔记本内存 – – MMKN092-2GB
CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN092-2GB
笔记本内存 – – MMKN092-2GB CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN092-2GB
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EETGB   3 二 11/19 27.04
笔记本内存 – – KVR48S40BS6-8
Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC - for Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
代码：
KVR48S40BS6-8
笔记本内存 – – KVR48S40BS6-8 Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC - for Intel Next Unit of Computing 13 Extreme Kit - NUC13RNGi9
代码：
KVR48S40BS6-8
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TDGB   2 二 11/19 27.32
笔记本内存 – – JM3200HSB-16G
Transcend JetRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSB-16G
笔记本内存 – – JM3200HSB-16G Transcend JetRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
JM3200HSB-16G
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GB304   43 二 11/19 27.61
笔记本内存 – – MMKN018-4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC - for ASUS A55; A75; K55; K95; R500; HP EliteBook 8470, 8570; ProBook 45XX, 4740, 64XX, 6570
代码：
MMKN018-4GB
笔记本内存 – – MMKN018-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC - for ASUS A55; A75; K55; K95; R500; HP EliteBook 8470, 8570; ProBook 45XX, 4740, 64XX, 6570
代码：
MMKN018-4GB
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EETGB   34 二 11/19 28.17
笔记本内存 – – MMKN036-2GB
CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN036-2GB
笔记本内存 – – MMKN036-2GB CoreParts - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN036-2GB
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EETGB   1 二 11/19 28.17
笔记本内存 – – MMDE026-4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC - for Alienware 14, 18; Dell Inspiron 11 3147, 15 3537, 15 3541, 3721; Latitude E7440
代码：
MMDE026-4GB
笔记本内存 – – MMDE026-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC - for Alienware 14, 18; Dell Inspiron 11 3147, 15 3537, 15 3541, 3721; Latitude E7440
代码：
MMDE026-4GB
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EETGB   34 二 11/19 28.17
笔记本内存 – – CT16G4SFRA32A
Crucial - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT16G4SFRA32A
笔记本内存 – – CT16G4SFRA32A Crucial - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT16G4SFRA32A
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TDGB   877 二 11/19 29.01
笔记本内存 – – KCP548SS6-8
Kingston - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 14, 16; Precision 34XX, 7770; Lenovo IdeaPad Gaming 3 16
代码：
KCP548SS6-8
笔记本内存 – – KCP548SS6-8 Kingston - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron 14, 16; Precision 34XX, 7770; Lenovo IdeaPad Gaming 3 16
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KCP548SS6-8
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TDGB   1 二 11/19 29.10
笔记本内存 – – MMH9762/8GB
CoreParts - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMH9762/8GB
笔记本内存 – – MMH9762/8GB CoreParts - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMH9762/8GB
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EETGB   35 二 11/19 29.31
笔记本内存 – – MMG2429/4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for ASUSPRO ADVANCED B23; B33; B43; B53; ASUSPRO ESSENTIAL P43; P53; ASUS G74; K43; K55; N45
代码：
MMG2429/4GB
笔记本内存 – – MMG2429/4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC - for ASUSPRO ADVANCED B23; B33; B43; B53; ASUSPRO ESSENTIAL P43; P53; ASUS G74; K43; K55; N45
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MMG2429/4GB
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EETGB   4 二 11/19 29.31
笔记本内存 – – MMKN004-4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC - for Acer Aspire V3, V5
代码：
MMKN004-4GB
笔记本内存 – – MMKN004-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC - for Acer Aspire V3, V5
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MMKN004-4GB
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EETGB   34 二 11/19 29.31
笔记本内存 – – MMKN029-2GB
CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - 1.8 V - unbuffered - non-ECC - for Toshiba Satellite A200, A300, L300, L300 / C02, L300 / F00, P200, P200 / 804, T115, U300, X200
代码：
MMKN029-2GB
笔记本内存 – – MMKN029-2GB CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - 1.8 V - unbuffered - non-ECC - for Toshiba Satellite A200, A300, L300, L300 / C02, L300 / F00, P200, P200 / 804, T115, U300, X200
代码：
MMKN029-2GB
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EETGB   1 二 11/19 29.31
笔记本内存 – – MUXMM-00063
CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for Compaq Presario CQ60
代码：
MUXMM-00063
笔记本内存 – – MUXMM-00063 CoreParts - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC - for Compaq Presario CQ60
代码：
MUXMM-00063
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EETGB   1 二 11/19 29.31
笔记本内存 – – KN.4GB0B.007-MM
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC - for Acer Aspire 3820, 4251, 4551, 4741, 57XX, 77XX; TravelMate 85XX; TravelMate Timeline 8471
代码：
KN.4GB0B.007-MM
笔记本内存 – – KN.4GB0B.007-MM CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC - for Acer Aspire 3820, 4251, 4551, 4741, 57XX, 77XX; TravelMate 85XX; TravelMate Timeline 8471
代码：
KN.4GB0B.007-MM
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EETGB   5 二 11/19 29.31
笔记本内存 – – KVR32S22S8/16
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S8/16
笔记本内存 – – KVR32S22S8/16 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S8/16
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EXGB   27 二 11/19 29.45
IMUK   194 二 11/19 29.55
TDGB   61 二 11/19 30.73
笔记本内存 – – KF432S20IB/16
Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF432S20IB/16
笔记本内存 – – KF432S20IB/16 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF432S20IB/16
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EXGB   8 二 11/19 29.46
IMUK   55 二 11/19 29.77
TDGB   19 二 11/19 31.40
笔记本内存 – – KVR32S22D8/16
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22D8/16
笔记本内存 – – KVR32S22D8/16 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22D8/16
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IMUK   32 二 11/19 29.55
笔记本内存 – – KCP556SS6-8
Kingston - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - ECC
代码：
KCP556SS6-8
笔记本内存 – – KCP556SS6-8 Kingston - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - ECC
代码：
KCP556SS6-8
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TDGB   17 二 11/19 29.89
笔记本内存 – – KF426S15IB1/16
Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF426S15IB1/16
笔记本内存 – – KF426S15IB1/16 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF426S15IB1/16
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EXGB   5 二 11/19 30.24
笔记本内存 – – MMST-DDR3-20404-8GB
CoreParts - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMST-DDR3-20404-8GB
笔记本内存 – – MMST-DDR3-20404-8GB CoreParts - DDR3 - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMST-DDR3-20404-8GB
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EETGB   6 二 11/19 30.44
笔记本内存 – – MMKN113-4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN113-4GB
笔记本内存 – – MMKN113-4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN113-4GB
库存 数量 预计配送 价格
EETGB   38 二 11/19 30.44
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