笔记本内存

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笔记本内存 – – KCP432SS8/16
Kingston - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS8/16
笔记本内存 – – KCP432SS8/16 Kingston - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS8/16
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DE168   106 四 11/21 56.84
CZ148   4 四 11/21 60.50
PL111   30+ 四 11/21 61.83
CZ017   10 四 11/21 62.60
SIKDE   51 五 11/22 63.49
CZ016   2 四 11/21 64.37
KOSDES   2 四 11/21 66.05
HU028   37 一 11/25 66.61
DCSSID   5 一 11/25 68.10
DE712   101 二 11/26 72.75
笔记本内存 – – CT8G4SFS824A
Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFS824A
笔记本内存 – – CT8G4SFS824A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFS824A
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KOSDES   100 四 11/21 43.41
DCSSID   23 一 11/25 44.42
DK773   20 四 11/21 50.76
笔记本内存 – – M471A1K43EB1-CWED0
Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Wortmann TERRA Mobile 1516, 1551P
代码：
M471A1K43EB1-CWED0
笔记本内存 – – M471A1K43EB1-CWED0 Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Wortmann TERRA Mobile 1516, 1551P
代码：
M471A1K43EB1-CWED0
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DE501   100 四 11/21 60.52
DE712   10 二 11/26 84.79
笔记本内存 – – CT8G48C40S5T
Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G48C40S5T
笔记本内存 – – CT8G48C40S5T Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G48C40S5T
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SIKDE   100 五 11/22 48.74
DE712   100 二 11/26 66.32
笔记本内存 – – V7256008GBS
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7256008GBS
笔记本内存 – – V7256008GBS V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7256008GBS
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DE168   96 四 11/21 37.04
DE712   96 二 11/26 51.12
笔记本内存 – – CMSX64GX5M2A4800C40
CORSAIR Vengeance - DDR5 - kit - 64 GB: 2 x 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX64GX5M2A4800C40
笔记本内存 – – CMSX64GX5M2A4800C40 CORSAIR Vengeance - DDR5 - kit - 64 GB: 2 x 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
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CMSX64GX5M2A4800C40
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SIKDE   94 五 11/22 227.05
笔记本内存 – – CT2K8G4SFRA32A
Crucial - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT2K8G4SFRA32A
笔记本内存 – – CT2K8G4SFRA32A Crucial - DDR4 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT2K8G4SFRA32A
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DE712   92 二 11/26 80.57
笔记本内存 – – KVR32S22S8/16
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S8/16
笔记本内存 – – KVR32S22S8/16 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
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KVR32S22S8/16
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DE168   88 四 11/21 55.60
PL111   30+ 四 11/21 56.60
CZ148   10 四 11/21 57.93
SIKDE   113 五 11/22 60.63
HU028   7 一 11/25 64.65
DCSSID   10 一 11/25 65.94
FI896   1 一 11/25 66.58
DE712   67 二 11/26 71.19
笔记本内存 – – KF432S20IB/8
Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF432S20IB/8
笔记本内存 – – KF432S20IB/8 Kingston FURY Impact - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL20 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - black
代码：
KF432S20IB/8
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DE168   84 四 11/21 38.34
CZ017   9 四 11/21 44.12
CZ016   19 四 11/21 45.82
HU028   6 一 11/25 46.59
DE712   84 二 11/26 50.96
笔记本内存 – – ADDS1600W8G11-S
ADATA Premier Series - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
ADDS1600W8G11-S
笔记本内存 – – ADDS1600W8G11-S ADATA Premier Series - DDR3L - module - 8 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3L-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
ADDS1600W8G11-S
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CZ016   82 四 11/21 51.84
笔记本内存 – – CT2K8G56C46S5
Crucial - DDR5 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC - black
代码：
CT2K8G56C46S5
笔记本内存 – – CT2K8G56C46S5 Crucial - DDR5 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC - black
代码：
CT2K8G56C46S5
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DE712   80 二 11/26 101.87
笔记本内存 – – V7106004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
笔记本内存 – – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
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DE168   75 四 11/21 26.85
DE712   75 二 11/26 39.72
笔记本内存 – – LD4AS032G-B3200GSST
Lexar - DDR4 - module - 32 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS032G-B3200GSST
笔记本内存 – – LD4AS032G-B3200GSST Lexar - DDR4 - module - 32 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
LD4AS032G-B3200GSST
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EVSSI   75 二 11/19 73.52
DE712   36 二 11/26 119.10
笔记本内存 – – V764002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBS
笔记本内存 – – V764002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBS
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DE168   74 四 11/21 28.06
DE712   74 二 11/26 50.51
笔记本内存 – – V7170008GBS
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170008GBS
笔记本内存 – – V7170008GBS V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170008GBS
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DE168   73 四 11/21 35.79
DE712   74 二 11/26 58.38
笔记本内存 – – CT2K32G56C46S5
Crucial - DDR5 - kit - 64 GB: 2 x 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - non-ECC
代码：
CT2K32G56C46S5
笔记本内存 – – CT2K32G56C46S5 Crucial - DDR5 - kit - 64 GB: 2 x 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - non-ECC
代码：
CT2K32G56C46S5
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DE712   73 二 11/26 303.52
笔记本内存 – – CT8G4SFRA32A
Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFRA32A
笔记本内存 – – CT8G4SFRA32A Crucial - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G4SFRA32A
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ASBSI   68 二 11/19 25.21
SIKDE   500 五 11/22 42.94
CZ017   10 四 11/21 44.31
CZ016   18 四 11/21 45.63
KOSDES   500 四 11/21 46.70
DCSSID   40 一 11/25 48.93
PL591   2 四 11/21 51.00
DK565   45 四 11/21 53.29
DE712   200 二 11/26 55.13
笔记本内存 – – AA937595
Dell - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - unbuffered - non-ECC - Upgrade
代码：
AA937595
笔记本内存 – – AA937595 Dell - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - unbuffered - non-ECC - Upgrade
代码：
AA937595
库存 数量 预计配送 价格
DE712   67 二 11/26 105.41
DK773   31 四 11/21 112.56
SIKDE   10 五 11/22 114.97
笔记本内存 – – CMSX16GX4M1A2400C16
CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX16GX4M1A2400C16
笔记本内存 – – CMSX16GX4M1A2400C16 CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX16GX4M1A2400C16
库存 数量 预计配送 价格
SIKDE   65 五 11/22 60.66
笔记本内存 – – CMSX8GX4M1A3200C22
CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX8GX4M1A3200C22
笔记本内存 – – CMSX8GX4M1A3200C22 CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX8GX4M1A3200C22
库存 数量 预计配送 价格
SIKDE   61 五 11/22 44.38
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