笔记本内存

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笔记本内存 – – TED432G3200C22-S01
Team Elite - DDR4 - module - 32 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED432G3200C22-S01
笔记本内存 – – TED432G3200C22-S01 Team Elite - DDR4 - module - 32 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED432G3200C22-S01
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DE712   100 二 11/26 102.98
笔记本内存 – – KCP432SD8/16
Kingston - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SD8/16
笔记本内存 – – KCP432SD8/16 Kingston - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SD8/16
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EDSSK   100 二 11/19 40.12
ASBSK   8 二 11/19 40.13
ALSSK   5 三 11/20 41.99
TDSK   11 三 11/20 42.61
SWSSK   19 二 11/19 42.80
DE168   29 四 11/21 50.42
HU028   16 四 11/21 59.95
DE712   77 二 11/26 63.78
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CWE
Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码：
M471A5244CB0-CWE
笔记本内存 – – M471A5244CB0-CWE Samsung - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
代码：
M471A5244CB0-CWE
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DE501   100 三 11/20 45.50
DE712   100 二 11/26 65.35
笔记本内存 – – M471A2K43EB1-CWE
Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A2K43EB1-CWE
笔记本内存 – – M471A2K43EB1-CWE Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M471A2K43EB1-CWE
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DE712   100 二 11/26 83.29
DK773   5 五 11/22 90.10
笔记本内存 – – M471A1K43EB1-CWED0
Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Wortmann TERRA Mobile 1516, 1551P
代码：
M471A1K43EB1-CWED0
笔记本内存 – – M471A1K43EB1-CWED0 Samsung - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Wortmann TERRA Mobile 1516, 1551P
代码：
M471A1K43EB1-CWED0
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DE501   100 三 11/20 57.10
DE712   10 二 11/26 73.85
笔记本内存 – – CT8G48C40S5T
Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G48C40S5T
笔记本内存 – – CT8G48C40S5T Crucial - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CT8G48C40S5T
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DE712   100 二 11/26 58.15
笔记本内存 – – V7256008GBS
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7256008GBS
笔记本内存 – – V7256008GBS V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7256008GBS
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DE168   96 四 11/21 33.60
DE712   96 二 11/26 45.23
笔记本内存 – – CMSX64GX5M2A4800C40
CORSAIR Vengeance - DDR5 - kit - 64 GB: 2 x 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX64GX5M2A4800C40
笔记本内存 – – CMSX64GX5M2A4800C40 CORSAIR Vengeance - DDR5 - kit - 64 GB: 2 x 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 4800 MHz / PC5-38400 - CL40 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX64GX5M2A4800C40
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DE712   94 二 11/26 220.31
笔记本内存 – – 4X71D09532
Lenovo - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - unbuffered - non-ECC - Campus - for K14 Gen 1; ThinkBook 14 G5 IRL; ThinkCentre neo 50q Gen 4; ThinkPad E14 Gen 3; E14 Gen 5
代码：
4X71D09532
笔记本内存 – – 4X71D09532 Lenovo - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - unbuffered - non-ECC - Campus - for K14 Gen 1; ThinkBook 14 G5 IRL; ThinkCentre neo 50q Gen 4; ThinkPad E14 Gen 3; E14 Gen 5
代码：
4X71D09532
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DK773   82 五 11/22 95.54
DE712   82 二 11/26 119.95
笔记本内存 – – CT2K8G56C46S5
Crucial - DDR5 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC - black
代码：
CT2K8G56C46S5
笔记本内存 – – CT2K8G56C46S5 Crucial - DDR5 - kit - 16 GB: 2 x 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC - black
代码：
CT2K8G56C46S5
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DE712   80 二 11/26 88.36
笔记本内存 – – V7106004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
笔记本内存 – – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
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DE168   75 四 11/21 24.96
DE712   75 二 11/26 35.56
笔记本内存 – – V764002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBS
笔记本内存 – – V764002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBS
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DE168   74 四 11/21 25.98
DE712   74 二 11/26 44.71
笔记本内存 – – V7170008GBS
V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170008GBS
笔记本内存 – – V7170008GBS V7 - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7170008GBS
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DE168   73 四 11/21 32.54
DE712   74 二 11/26 51.40
笔记本内存 – – CMSX16GX4M1A2400C16
CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX16GX4M1A2400C16
笔记本内存 – – CMSX16GX4M1A2400C16 CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL16 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX16GX4M1A2400C16
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DE712   71 二 11/26 70.06
笔记本内存 – – GR3200S464L22S/16G
GOODRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR3200S464L22S/16G
笔记本内存 – – GR3200S464L22S/16G GOODRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR3200S464L22S/16G
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DE712   62 二 11/26 88.96
笔记本内存 – – M425R1GB4PB0-CWM
Samsung - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - CL40 - 1.1 V - unbuffered
代码：
M425R1GB4PB0-CWM
笔记本内存 – – M425R1GB4PB0-CWM Samsung - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - CL40 - 1.1 V - unbuffered
代码：
M425R1GB4PB0-CWM
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DE501   61 三 11/20 67.19
DE712   20 二 11/26 71.90
笔记本内存 – – V72130032GBS
V7 - DDR4 - module - 32 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V72130032GBS
笔记本内存 – – V72130032GBS V7 - DDR4 - module - 32 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V72130032GBS
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DE168   60 四 11/21 83.47
DE712   60 二 11/26 109.10
笔记本内存 – – M425R4GA3PB0-CWM
Samsung - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC4-25600 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M425R4GA3PB0-CWM
笔记本内存 – – M425R4GA3PB0-CWM Samsung - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC4-25600 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码：
M425R4GA3PB0-CWM
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DE501   55 三 11/20 187.19
笔记本内存 – – CMSX32GX4M2A3200C22
CORSAIR Vengeance - DDR4 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX32GX4M2A3200C22
笔记本内存 – – CMSX32GX4M2A3200C22 CORSAIR Vengeance - DDR4 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX32GX4M2A3200C22
库存 数量 预计配送 价格
DE712   54 二 11/26 118.28
笔记本内存 – – CMSO4GX4M1A2133C15
CORSAIR Value Select - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSO4GX4M1A2133C15
笔记本内存 – – CMSO4GX4M1A2133C15 CORSAIR Value Select - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSO4GX4M1A2133C15
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DE712   53 二 11/26 47.59
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