笔记本内存

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笔记本内存 – – CMSX8GX4M1A3200C22
CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX8GX4M1A3200C22
笔记本内存 – – CMSX8GX4M1A3200C22 CORSAIR Vengeance - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSX8GX4M1A3200C22
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DE957   61 五 11/22 24.28
APIDE   9 二 11/19 24.51
DE712   5 二 11/26 44.38
笔记本内存 – – MEM5502A
2-Power - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5502A
笔记本内存 – – MEM5502A 2-Power - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5502A
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CZ148   1 四 11/21 24.47
笔记本内存 – – MEM5502B
2-Power - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5502B
笔记本内存 – – MEM5502B 2-Power - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5502B
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CZ148   1 四 11/21 24.47
笔记本内存 – – OWC1333DDR3S2GB
Other World Computing - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
OWC1333DDR3S2GB
笔记本内存 – – OWC1333DDR3S2GB Other World Computing - DDR3 - module - 2 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
OWC1333DDR3S2GB
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DE712   2 二 11/26 24.50
笔记本内存 – – AD4S26664G19-SGN
ADATA Premier Series - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
AD4S26664G19-SGN
笔记本内存 – – AD4S26664G19-SGN ADATA Premier Series - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
AD4S26664G19-SGN
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CZ016   7 四 11/21 24.58
笔记本内存 – – CMSO8GX4M1A2133C15
CORSAIR Value Select - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSO8GX4M1A2133C15
笔记本内存 – – CMSO8GX4M1A2133C15 CORSAIR Value Select - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - CL15 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
CMSO8GX4M1A2133C15
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DE957   5 五 11/22 24.92
APIDE   6 二 11/19 26.77
PL111   4 五 11/22 28.92
笔记本内存 – – GR2666S464L19S/8G
GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR2666S464L19S/8G
笔记本内存 – – GR2666S464L19S/8G GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR2666S464L19S/8G
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PL111   30+ 五 11/22 24.93
笔记本内存 – – GR3200S464L22S/8G
GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR3200S464L22S/8G
笔记本内存 – – GR3200S464L22S/8G GOODRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
GR3200S464L22S/8G
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PL111   30+ 五 11/22 24.93
DE712   7 二 11/26 37.37
笔记本内存 – – MMI0029/4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMI0029/4GB
笔记本内存 – – MMI0029/4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMI0029/4GB
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DK773   2 三 11/20 25.06
笔记本内存 – – MMKN007-4GB
CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
笔记本内存 – – MMKN007-4GB CoreParts - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN007-4GB
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DK773   30 三 11/20 25.06
笔记本内存 – – MMKN057-8GB
CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN057-8GB
笔记本内存 – – MMKN057-8GB CoreParts - DDR4 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
MMKN057-8GB
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DK773   47 三 11/20 25.06
笔记本内存 – – MMLE037-4GB
CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for S400z; S500z; ThinkCentre M700 (Tiny); M700z; M800z; M900 (Tiny); M900x; M900z; X1; E74
代码：
MMLE037-4GB
笔记本内存 – – MMLE037-4GB CoreParts - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for S400z; S500z; ThinkCentre M700 (Tiny); M700z; M800z; M900 (Tiny); M900x; M900z; X1; E74
代码：
MMLE037-4GB
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DK773   2 三 11/20 25.06
笔记本内存 – – MEM0802A
2-Power - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM0802A
笔记本内存 – – MEM0802A 2-Power - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM0802A
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CZ148   3 四 11/21 25.21
笔记本内存 – – MEM5103A
2-Power - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5103A
笔记本内存 – – MEM5103A 2-Power - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - CL9 - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5103A
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CZ148   2 四 11/21 25.21
笔记本内存 – – KCP426SS6/4
Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP426SS6/4
笔记本内存 – – KCP426SS6/4 Kingston - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL17 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP426SS6/4
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TDDE2   5 五 11/22 25.31
DE712   5 二 11/26 45.88
笔记本内存 – – KVR16LS11/4
Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11/4
笔记本内存 – – KVR16LS11/4 Kingston ValueRAM - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR16LS11/4
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DE792   2 三 11/20 25.32
DE957   49 五 11/22 25.76
DE168   229 三 11/20 26.16
APIDE   49 二 11/19 28.19
TDDE2   117 五 11/22 29.25
ALSDE-2   34 一 11/25 31.39
CZ016   19 四 11/21 34.38
CZ148   5 四 11/21 35.08
DCSDE   20 五 11/22 36.48
DE712   235 二 11/26 38.40
笔记本内存 – – PSD34G1600L2S
Patriot Memory for Ultrabook - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G1600L2S
笔记本内存 – – PSD34G1600L2S Patriot Memory for Ultrabook - DDR3L - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G1600L2S
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CZ016   3 四 11/21 25.41
笔记本内存 – – PSD34G160081S
Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G160081S
笔记本内存 – – PSD34G160081S Patriot Signature Line - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PSD34G160081S
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CZ016   2 四 11/21 25.41
笔记本内存 – – MEM5302A
2-Power - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5302A
笔记本内存 – – MEM5302A 2-Power - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - unbuffered - non-ECC
代码：
MEM5302A
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CZ148   1 四 11/21 25.45
笔记本内存 – – 4X71A14571
Lenovo - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - unbuffered - non-ECC - CRU - green - for ThinkCentre M70a; M70q; M80q; M90a; M90q; ThinkPad E14 Gen 2; E15 Gen 2; L14 Gen 1; L15 Gen 1; ThinkStation P340 (Tiny); V14-ADA; V14-ARE; V14-IIL; V15-ADA; V15-IIL; V30a-22IML; V30a-24IML; V35s 07ADA
代码：
4X71A14571
笔记本内存 – – 4X71A14571 Lenovo - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - unbuffered - non-ECC - CRU - green - for ThinkCentre M70a; M70q; M80q; M90a; M90q; ThinkPad E14 Gen 2; E15 Gen 2; L14 Gen 1; L15 Gen 1; ThinkStation P340 (Tiny); V14-ADA; V14-ARE; V14-IIL; V15-ADA; V15-IIL; V30a-22IML; V30a-24IML; V35s 07ADA
代码：
4X71A14571
库存 数量 预计配送 价格
IKDE   11 四 11/28 25.61
TDDE2   153 五 11/22 47.17
DE712   153 二 11/26 54.46
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