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笔记本内存 –  – AL0M7AA HP - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - 1.1 V
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AL0M7AA
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DE712   5 五 3/14 265.22
DK231   16 二 3/11 527.90
笔记本内存 –  – AL0M6AA HP - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - 1.1 V
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AL0M6AA
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DE712   7 五 3/14 148.27
DK231   17 二 3/11 306.32
笔记本内存 –  – AL0M5AA HP - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - 1.1 V
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AL0M5AA
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DE712   46 五 3/14 87.56
笔记本内存 –  – M425R4GA3PB0-CWM Samsung - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC4-25600 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
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M425R4GA3PB0-CWM
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DE501   68 四 3/6 161.36
DE712   68 五 3/14 195.59
笔记本内存 –  – 9Z228AA HP - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 288-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - ECC
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9Z228AA
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CZ016   2 四 3/6 285.19
笔记本内存 –  – M425R1GB4PB0-CWM Samsung - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - CL40 - 1.1 V - unbuffered
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M425R1GB4PB0-CWM
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DE501   22 四 3/6 45.66
DE712   97 五 3/14 67.73
笔记本内存 –  – CP2K16G60C36U5W Crucial Pro - Overclocking Edition - DDR5 - kit - 32 GB: 2 x 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 6000 MHz / PC5-48000 - CL36 - 1.35 V - unbuffered - on-die ECC - white
代码:
CP2K16G60C36U5W
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CZ016   14 四 3/6 109.03
DE712   500 五 3/14 123.65
PL201   5 三 3/5 135.01
笔记本内存 –  – TED516G5600C46A-S01 Team Elite - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代码:
TED516G5600C46A-S01
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DE712   100 五 3/14 64.69
笔记本内存 –  – KVR56S46BD8-48 Kingston ValueRAM - DDR5 - module - 48 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KVR56S46BD8-48
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LV156   3 四 3/6 123.18
PL569   6 二 3/4 126.31
CZ016   6 四 3/6 144.47
DE181   57 四 3/6 153.99
DE712   57 五 3/14 162.93
笔记本内存 –  – KCP556SD8-48 Kingston - DDR5 - module - 48 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - non-ECC
代码:
KCP556SD8-48
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PL111   8 二 3/4 129.28
PL569   16 二 3/4 132.56
CZ016   1 四 3/6 148.90
DE181   15 四 3/6 154.83
DE712   15 五 3/14 169.66
笔记本内存 –  – V74480016GBS V7 - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
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V74480016GBS
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DE168   15 四 3/6 71.46
笔记本内存 –  – TS5600ASE-32G Transcend - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代码:
TS5600ASE-32G
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DE168   3 四 3/6 129.83
DE712   3 五 3/14 138.82
笔记本内存 –  – TS5600ASE-16G Transcend - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - unbuffered - on-die ECC
代码:
TS5600ASE-16G
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DE712   4 五 3/14 81.80
笔记本内存 –  – MS16384AC-NB137 Memorysolution - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Acer Aspire V 15
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MS16384AC-NB137
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DE712   9 五 3/14 101.34
笔记本内存 –  – CT12G56C46S5 Crucial - DDR5 - module - 12 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC
代码:
CT12G56C46S5
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PL201   5 三 3/5 34.15
笔记本内存 –  – M471A2G43CB2-CWE Samsung - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - 1.2 V
代码:
M471A2G43CB2-CWE
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DE501   100 四 3/6 57.35
DE712   100 五 3/14 83.29
笔记本内存 –  – AC774048 Dell 1RX8 - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - 1.1 V - unbuffered - non-ECC - Upgrade
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AC774048
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DE712   15 五 3/14 185.61
笔记本内存 –  – AC774047 Dell 1RX16 - DDR5 - module - 8 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - 1.1 V - unbuffered - non-ECC - Upgrade
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AC774047
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PL642   13 一 3/10 73.60
CZ016   4 四 3/6 98.02
DE712   4 五 3/14 104.53
笔记本内存 –  – AC774046 Dell 2RX8 - DDR5 - module - 32 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz - 1.1 V - unbuffered - non-ECC - Upgrade
代码:
AC774046
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PL111   2 二 3/4 263.04
DE712   14 五 3/14 302.31
笔记本内存 –  – LD5S16G56C46ST-BGS Lexar - DDR5 - module - 16 GB - SO-DIMM 262-pin - 5600 MHz / PC5-44800 - CL46 - 1.1 V - on-die ECC
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LD5S16G56C46ST-BGS
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PL111   30+ 二 3/4 41.64
PL201   10 三 3/5 42.71