笔记本内存

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笔记本内存 – – SNPNWMX1C/4G-AA
AddOn - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SNPNWMX1C/4G-AA
笔记本内存 – – SNPNWMX1C/4G-AA AddOn - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
SNPNWMX1C/4G-AA
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SYNUS   24 三 10/16 39.98
笔记本内存 – – MC016G/A-AA
AddOn 8GB SODIMM Kit for Apple Computer MC016G / A - DDR3 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
MC016G/A-AA
笔记本内存 – – MC016G/A-AA AddOn 8GB SODIMM Kit for Apple Computer MC016G / A - DDR3 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
MC016G/A-AA
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SYNUS   2 三 10/16 40.03
笔记本内存 – – MC702G/A-AA
AddOn 8GB SODIMM Kit for Apple Computer MC702G / A - DDR3 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
MC702G/A-AA
笔记本内存 – – MC702G/A-AA AddOn 8GB SODIMM Kit for Apple Computer MC702G / A - DDR3 - kit - 8 GB: 2 x 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
MC702G/A-AA
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SYNUS   2 三 10/16 40.03
笔记本内存 – – KVR26S19S6/8
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/8
笔记本内存 – – KVR26S19S6/8 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KVR26S19S6/8
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SYNUS   1374 三 10/16 40.57
笔记本内存 – – PE201487
EDGE - DDR - module - 512 MB - SO-DIMM 200-pin - 333 MHz / PC2700 - unbuffered - non-ECC
代码：
PE201487
笔记本内存 – – PE201487 EDGE - DDR - module - 512 MB - SO-DIMM 200-pin - 333 MHz / PC2700 - unbuffered - non-ECC
代码：
PE201487
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SYNUS   150 三 10/16 40.60
笔记本内存 – – 901175
VisionTek - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
901175
笔记本内存 – – 901175 VisionTek - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
901175
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DHUS   8 四 10/17 41.05
笔记本内存 – – 4GSD3162R8LV-TM
Total Micro - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
4GSD3162R8LV-TM
笔记本内存 – – 4GSD3162R8LV-TM Total Micro - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
4GSD3162R8LV-TM
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SYNUS   21 三 10/16 42.33
笔记本内存 – – PE248093
EDGE - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PE248093
笔记本内存 – – PE248093 EDGE - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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PE248093
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SYNUS   1500 三 10/16 42.42
笔记本内存 – – 4X70W30750-TM
Total Micro - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Lenovo ThinkBook 14; 15; ThinkCentre M715q (2nd Gen); M75; ThinkPad E14; E15; V14; V15
代码：
4X70W30750-TM
笔记本内存 – – 4X70W30750-TM Total Micro - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Lenovo ThinkBook 14; 15; ThinkCentre M715q (2nd Gen); M75; ThinkPad E14; E15; V14; V15
代码：
4X70W30750-TM
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SYNUS   50 三 10/16 42.44
笔记本内存 – – PE253233
EDGE - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PE253233
笔记本内存 – – PE253233 EDGE - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2400 MHz / PC4-19200 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PE253233
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SYNUS   1500 三 10/16 42.45
笔记本内存 – – PE248086
EDGE - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PE248086
笔记本内存 – – PE248086 EDGE - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2133 MHz / PC4-17000 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
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PE248086
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SYNUS   1500 三 10/16 42.45
笔记本内存 – – PE256388
EDGE - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PE256388
笔记本内存 – – PE256388 EDGE - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PE256388
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SYNUS   1500 三 10/16 42.45
笔记本内存 – – PE270261
EDGE - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PE270261
笔记本内存 – – PE270261 EDGE - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
PE270261
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SYNUS   1500 三 10/16 42.45
笔记本内存 – – KVR32S22S8/16
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S8/16
笔记本内存 – – KVR32S22S8/16 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3, 12 Pro Kit - NUC12WSKi5
代码：
KVR32S22S8/16
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DHUS   60 四 10/17 42.72
SYNUS   4463 三 10/16 54.78
ASIUS   2941 三 10/16 58.88
笔记本内存 – – CMSX16GX4M1A3200C22
Corsair 16GB VENGEANCE DDR4 3200 MHz SO-DIMM Memory Module (1 x 16GB)
代码：
CMSX16GX4M1A3200C22
笔记本内存 – – CMSX16GX4M1A3200C22 Corsair 16GB VENGEANCE DDR4 3200 MHz SO-DIMM Memory Module (1 x 16GB)
代码：
CMSX16GX4M1A3200C22
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BHUS   1+ 五 10/18 42.95
笔记本内存 – – PE221225
EDGE - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
PE221225
笔记本内存 – – PE221225 EDGE - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
PE221225
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SYNUS   500 三 10/16 43.12
笔记本内存 – – PE204860
EDGE - DDR2 - module - 512 MB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron E1405; XPS M1210, M1710; Lenovo N100; ThinkPad R60; T60; X60; Z61; V100
代码：
PE204860
笔记本内存 – – PE204860 EDGE - DDR2 - module - 512 MB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC - for Dell Inspiron E1405; XPS M1210, M1710; Lenovo N100; ThinkPad R60; T60; X60; Z61; V100
代码：
PE204860
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SYNUS   432 三 10/16 43.32
笔记本内存 – – KCP426SD8/16
Kingston - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP426SD8/16
笔记本内存 – – KCP426SD8/16 Kingston - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP426SD8/16
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DHUS   70 四 10/17 43.77
SYNUS   50 三 10/16 56.00
笔记本内存 – – KCP426SS8/16
Kingston - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP426SS8/16
笔记本内存 – – KCP426SS8/16 Kingston - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP426SS8/16
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DHUS   69 四 10/17 43.77
SYNUS   129 三 10/16 55.97
笔记本内存 – – KCP432SS8/16
Kingston - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS8/16
笔记本内存 – – KCP432SS8/16 Kingston - DDR4 - module - 16 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
KCP432SS8/16
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DHUS   81 四 10/17 43.77
SYNUS   4534 三 10/16 55.95
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