MARKIT – samsung 970 evo plus mz-v75s500bw - ssd - chiffré

Catégorie Disques durs électroniques / SSD

Code du produit MZ-V7S500BW

Marque Samsung

Garantie 60 Mois

Pour but illustratif seulement

Grossistes	Quantité de stock disponible	Date de livraison estimée	Prix
TARZA	5	14/11/2024 ~ Date Appro. inconnue	1 409,09
MUSZA	7	13/11/2024 ~ Date Appro. inconnue	1 742,84

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Description du produit: Samsung 970 EVO Plus MZ-V75S500BW - SSD - 500 Go - PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Type: Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité: 500 Go
Cryptage matériel: Oui
Algorithme de chiffrement: AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND: 3 bits par cellule (TLC)
Format: M.2 2280
Interface: PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Taille de la mémoire tampon: 512 Mo
Caractéristiques: Prise en charge TRIM, mode veille, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Dimensions (LxPxH): 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Poids: 8 g
Garantie du fabricant: Garantie de 5 ans

Type de périphérique: Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité: 500 Go
Cryptage matériel: Oui
Algorithme de chiffrement: AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND: 3 bits par cellule (TLC)
Format: M.2 2280
Interface: PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Taille de la mémoire tampon: 512 Mo
Caractéristiques: Prise en charge TRIM, mode veille, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Largeur: 22.15 mm
Profondeur: 80.15 mm
Hauteur: 2.38 mm
Poids: 8 g
Endurance SSD: 300 TB
Débit de transfert interne: 3500 Mo/s (lecture) / 3200 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko: 19000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko: 60000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum: 550000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko: 480000 IOPS
Fiabilité MTBF: 1,500,000 heures
Interfaces: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Baie compatible: M.2 2280
Consommation électrique: 5.8 Watt (moyenne) ¦ 9 Watt (maximum) ¦ 30 mW (max. veille)
Normes de conformité: IEEE 1667
Service et maintenance: Garantie limitée - 5 ans
Température minimale de fonctionnement: 0 °C
Température maximale de fonctionnement: 70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement): 1500 g @ 0.5 ms half-sine

Conditions spéciales