MARKIT – samsung 980 mz-v8v1t0bw - ssd - chiffré - 1 to

Catégorie Disques durs électroniques / SSD

Code du produit MZ-V8V1T0BW

Marque Samsung

Garantie Inconnu

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Description du produit: Samsung 980 MZ-V8V1T0BW - SSD - 1 To - PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Type: Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité: 1 To
Cryptage matériel: Oui
Algorithme de chiffrement: AES 256 bits
Format: M.2 2280
Interface: PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Caractéristiques: Prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, Host Memory Buffer (HMB), NVM Express (NVMe) 1.4, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Pablo Controller, Intelligent TurboWrite Technology, contrôle thermique de pointe, S.M.A.R.T.
Dimensions (LxPxH): 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Poids: 8 g
Garantie du fabricant: Garantie de 5 ans

Type de périphérique: Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité: 1 To
Cryptage matériel: Oui
Algorithme de chiffrement: AES 256 bits
Format: M.2 2280
Interface: PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Caractéristiques: Prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, Host Memory Buffer (HMB), NVM Express (NVMe) 1.4, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Samsung Pablo Controller, Intelligent TurboWrite Technology, contrôle thermique de pointe, S.M.A.R.T.
Largeur: 22.15 mm
Profondeur: 80.15 mm
Hauteur: 2.38 mm
Poids: 8 g
Endurance SSD: 600 TB
Débit de transfert interne: 3500 Mo/s (lecture) / 3000 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko: 17000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko: 54000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum: 480000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko: 500000 IOPS
Fiabilité MTBF: 1,500,000 heures
Interfaces: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Baie compatible: M.2 2280
Consommation électrique: 4.6 Watt (moyenne) ¦ 5.3 Watt (maximum) ¦ 0.045 Watt (inactif)
Logiciel(s) inclus: Samsung Magician Software
Normes de conformité: IEEE 1667
Service et maintenance: Garantie limitée - 5 ans
Température minimale de fonctionnement: 0 °C
Température maximale de fonctionnement: 70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement): 1500 g @ 0.5 ms half-sine

Conditions spéciales