Samsung 980 MZ-V8V250BW - SSD - chiffré - 250 Go - interne - M.2 2280 - PCIe 3.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption

Code du produit MZ-V8V250BW
Marque Samsung
Garantie Inconnu
Pour but illustratif seulement
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Description du produit
Samsung 980 MZ-V8V250BW - SSD - 250 Go - PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Type
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité
250 Go
Cryptage matériel
Oui
Algorithme de chiffrement
AES 256 bits
Format
M.2 2280
Interface
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Caractéristiques
NVM Express (NVMe) 1.4, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Host Memory Buffer (HMB), Samsung Pablo Controller, prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, Intelligent TurboWrite Technology, contrôle thermique de pointe, S.M.A.R.T.
Dimensions (LxPxH)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Poids
8 g
Garantie du fabricant
Garantie de 5 ans
Type de périphérique
Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité
250 Go
Cryptage matériel
Oui
Algorithme de chiffrement
AES 256 bits
Format
M.2 2280
Interface
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Caractéristiques
NVM Express (NVMe) 1.4, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Host Memory Buffer (HMB), Samsung Pablo Controller, prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Support de mise en veille de l'appareil, Intelligent TurboWrite Technology, contrôle thermique de pointe, S.M.A.R.T.
Largeur
22.15 mm
Profondeur
80.15 mm
Hauteur
2.38 mm
Poids
8 g
Endurance SSD
150 TB
Débit de transfert interne
2900 Mo/s (lecture) / 1300 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko
17000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko
53000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum
320000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko
230000 IOPS
Fiabilité MTBF
1,500,000 heures
Interfaces
PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Baie compatible
M.2 2280
Consommation électrique
3.7 Watt (moyenne) ¦ 5.6 Watt (maximum) ¦ 0.045 Watt (inactif)
Logiciel(s) inclus
Samsung Magician Software
Normes de conformité
IEEE 1667
Service et maintenance
Garantie limitée - 5 ans
Température minimale de fonctionnement
0 °C
Température maximale de fonctionnement
70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement)
1500 g @ 0.5 ms half-sine