DRAM

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DRAM – – V753001GBS
V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBS
DRAM – – V753001GBS V7 - DDR2 - module - 1 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBS
库存 数量 预计配送 价格
DE168   7 三 7/31 13.46
DE712   7 二 8/6 26.83
DRAM – – V753001GBD
V7 - DDR2 - module - 1 GB - DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBD
DRAM – – V753001GBD V7 - DDR2 - module - 1 GB - DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753001GBD
库存 数量 预计配送 价格
DE168   5 三 7/31 14.08
DE712   5 二 8/6 18.50
DRAM – – V764001GBD
V7 - DDR2 - module - 1 GB - DIMM 240-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764001GBD
DRAM – – V764001GBD V7 - DDR2 - module - 1 GB - DIMM 240-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764001GBD
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DE168   24 三 7/31 14.11
DE712   23 二 8/6 18.66
DRAM – – V7128004GBD-DR
V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBD-DR
DRAM – – V7128004GBD-DR V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBD-DR
库存 数量 预计配送 价格
DE168   50 三 7/31 14.63
DE712   50 二 8/6 20.24
DRAM – – V7106004GBD
V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBD
DRAM – – V7106004GBD V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBD
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DE168   259 三 7/31 14.84
DE712   259 二 8/6 19.47
DRAM – – V7128004GBS-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-LV
DRAM – – V7128004GBS-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-LV
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DE168   9 三 7/31 15.05
DE712   9 二 8/6 28.78
DRAM – – V7128004GBS-DR-LV
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBS-DR-LV
DRAM – – V7128004GBS-DR-LV V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.35 V - unbuffered - non-ECC
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V7128004GBS-DR-LV
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DE168   152 三 7/31 15.05
DE712   152 二 8/6 19.84
DRAM – – V7128004GBD
V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBD
DRAM – – V7128004GBD V7 - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7128004GBD
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DE168   293 三 7/31 15.08
DE712   293 二 8/6 21.26
DRAM – – V785004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
V785004GBS
DRAM – – V785004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1066 MHz / PC3-8500 - unbuffered - non-ECC
代码：
V785004GBS
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DE168   90 三 7/31 15.15
DE712   90 二 8/6 21.67
DRAM – – V7106004GBS
V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
DRAM – – V7106004GBS V7 - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1333 MHz / PC3-10600 - unbuffered - non-ECC
代码：
V7106004GBS
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DE168   29 三 7/31 15.21
DE712   29 二 8/6 21.49
DRAM – – KVR32S22S6/4
Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
DRAM – – KVR32S22S6/4 Kingston ValueRAM - DDR4 - module - 4 GB - SO-DIMM 260-pin - 3200 MHz / PC4-25600 - CL22 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC - for Intel Next Unit of Computing 11, 12
代码：
KVR32S22S6/4
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DE712   6 四 8/1 15.23
DE712   6 二 8/6 15.23
DE957   14 三 7/31 21.78
DE168   25 三 7/31 22.39
CZ017   10 四 8/1 24.47
TDDE2   8 五 8/2 24.82
APIDE   59 二 7/30 27.25
CZ016   14 四 8/1 30.30
FI896   10 四 8/8 35.98
DRAM – – V753002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753002GBS
DRAM – – V753002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753002GBS
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DE168   89 三 7/31 15.37
DE712   89 二 8/6 27.48
DRAM – – V764002GBD
V7 - DDR2 - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBD
DRAM – – V764002GBD V7 - DDR2 - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBD
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DE168   357 三 7/31 15.39
DE712   357 二 8/6 21.61
DRAM – – V742002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
代码：
V742002GBS
DRAM – – V742002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 533 MHz / PC2-4200 - unbuffered - non-ECC
代码：
V742002GBS
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DE168   27 三 7/31 15.40
DE712   27 二 8/6 29.49
DRAM – – V764002GBS
V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBS
DRAM – – V764002GBS V7 - DDR2 - module - 2 GB - SO-DIMM 200-pin - 800 MHz / PC2-6400 - unbuffered - non-ECC
代码：
V764002GBS
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DE168   123 三 7/31 15.40
DE712   123 二 8/6 27.71
DRAM – – V753002GBD
V7 - DDR2 - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753002GBD
DRAM – – V753002GBD V7 - DDR2 - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - unbuffered - non-ECC
代码：
V753002GBD
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DE168   97 三 7/31 15.40
DE712   97 二 8/6 20.56
DRAM – – TED34G1600C1101
Team Elite - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED34G1600C1101
DRAM – – TED34G1600C1101 Team Elite - DDR3 - module - 4 GB - DIMM 240-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED34G1600C1101
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DE957   33 三 7/31 15.58
DE712   86 二 8/6 37.50
DRAM – – 432668-001
HPE - DDR2 - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - registered - ECC
代码：
432668-001
DRAM – – 432668-001 HPE - DDR2 - module - 2 GB - DIMM 240-pin - 667 MHz / PC2-5300 - registered - ECC
代码：
432668-001
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DK773   1 三 7/31 15.83
DRAM – – V7213004GBD
V7 - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7213004GBD
DRAM – – V7213004GBD V7 - DDR4 - module - 4 GB - DIMM 288-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - unbuffered - non-ECC
代码：
V7213004GBD
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DE168   13 三 7/31 15.92
DE712   13 二 8/6 24.07
DRAM – – TED34G1600C11-S01
Team Elite - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED34G1600C11-S01
DRAM – – TED34G1600C11-S01 Team Elite - DDR3 - module - 4 GB - SO-DIMM 204-pin - 1600 MHz / PC3-12800 - CL11 - 1.5 V - unbuffered - non-ECC
代码：
TED34G1600C11-S01
库存 数量 预计配送 价格
DE957   2 三 7/31 15.94
DE712   2 二 8/6 30.32
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